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CAS号: | 22398-80-7 |
英文名称: | INDIUM PHOSPHIDE |
英文同义词: | InP;indiummonophosphide;polycrystallinelump;Indiumphsophidewafer;Indium monophosphide;INDIUM(III) PHOSPHIDE;INDIUM PHOSPHIDE LUMP;Indium phosphide (InP);Indium phosphide wafer;Phosphinidyneindium(III) |
中文名称: | 磷化铟 |
中文同义词: | 磷化铟;一磷化铟;磷化铟晶体INP;磷化铟(III);磷化铟, 多晶块;磷化铟, 99.999% (METALS BASIS);磷化铟, 99.9999% (METALS BASIS);磷化铟, 多晶块, 99.99% (METALS BASIS);磷化铟(III), 99.999% (METALS BASIS);磷化铟(III), 99.9999% (METALS BASIS) |
CBNumber: | CB2364603 |
分子式: | InP |
分子量: | 145.79 |
MOL File: | 22398-80-7.mol |
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磷化铟 性质、用途与生产工艺 |
化学性质
具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数:10.8。电子迁移率:约4600 cm2/V?s。空穴迁移率:约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。
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用途
用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1.1~1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配,又能满足波长范围的要求。
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生产方法
用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法,并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延,多采用In-PCl3-H2系统的歧化法,在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。 气相外延将石英反应管放在双温区电炉中,已净化的高纯氢气经计量通入,氢气也用来稀释三氯化磷,此时彭泡器保持在0℃,通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。 在第一阶段,将盛有铟的石英舟放在电炉中源区,通入氢气并加热到700~850℃,再用氢气将三氯化磷引入,在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。 在第二阶段,铟源保持在原位置不加热,单晶衬底放在电炉的第二加温区后,在氢气氛下加热到600~750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀,清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管,并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入,这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应,在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后,向系统中通入纯氢气,将两个温区冷却到室温,取出产物,制得磷化铟成品。
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磷化铟 上下游产品信息 |
上游原料
电子
三氯化磷
二氧化硅
高纯
铟
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下游产品
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磷化铟 试剂级价格
更新日期 | 产品编号 | 产品名称 | CAS编号 | 包装 | 价格 | 2010/05/25 | 13974 | 磷化铟, 99.9999% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.9999% (metals basis) | 22398-80-7 | 1g | 2338元 | | 2010/05/25 | 36283 | 磷化铟, 99.999% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis) | 22398-80-7 | 5g | 12796元 | |
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磷化铟国内生产厂家
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供应商 | 联系电话 | 传真 | 电子邮件 | 国家 | 产品数 | 优势度 |
百灵威科技有限公司
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上海迈瑞尔化学技术有限公司
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